يشترى IRFD210 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFD210
- رقم القطعة:
- IRFD210
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17653 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFD210.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFD210 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFD210 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRFD210 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFD210 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 140pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFD210
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VN10KN3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IRFD220 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | تحقيق |
 |
RJK4002DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 400V 3A MP3A | تحقيق |
 |
2SK3827 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTT50P085 | IXYS | MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 | تحقيق |
 |
SIHP38N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB | تحقيق |
|
IRFD210PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD214PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD220PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | تحقيق |
 |
IRF3717PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRFD214 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD224 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | تحقيق |
 |
IRFD213 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | تحقيق |
|
SI4446DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDA24N50F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 | تحقيق |
|
IRFD224PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog