يشترى IRFD224PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFD224PBF
- رقم القطعة:
- IRFD224PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18658 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFD224PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFD224PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFD224PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.1 Ohm @ 380mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRFD224PBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFD224PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 260pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 630mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFD224PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AOD2908_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V TO-252 | تحقيق |
 |
IRFD213 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | تحقيق |
 |
SIS410DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
IRFD220PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD220 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD224 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP | تحقيق |
 |
IXTP80N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
DMT6017LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8 | تحقيق |
 |
NTD6600N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | تحقيق |
|
IRFD214PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | تحقيق |
 |
SPI16N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 16A TO-262 | تحقيق |
|
IRFD210 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP | تحقيق |
 |
IRFR120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | تحقيق |
|
IRFD214 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | تحقيق |
 |
STP40NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 | تحقيق |
|
IRFD210PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog