يشترى IRFH5206TRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFH5206TRPBF
- رقم القطعة:
- IRFH5206TRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12759 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFH5206TRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFH5206TRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFH5206TRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (5x6) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.7 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.6W (Ta), 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IRFH5206TRPBF-ND IRFH5206TRPBFTR SP001556276 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFH5206TRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2490pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 16A (Ta), 89A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 89A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFH5206TRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5206TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
IRFH5204TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5204TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5207TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN | تحقيق |
|
IRFH5207TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN | تحقيق |
|
IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN | تحقيق |
 |
IRFH5255TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN | تحقيق |
|
IRFH5250TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 45A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5220TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN | تحقيق |
 |
IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 45A PQFN | تحقيق |
 |
IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN | تحقيق |
|
IRFH5210TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN | تحقيق |
|
IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5A PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog