IRFH5220TR2PBF
IRFH5220TR2PBF
رقم القطعة:
IRFH5220TR2PBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13175 Pieces
ورقة البيانات:
IRFH5220TR2PBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFH5220TR2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFH5220TR2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRFH5220TR2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 100µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PQFN (5x6)
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-VQFN Exposed Pad
اسماء اخرى:IRFH5220TR2PBFDKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRFH5220TR2PBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1380pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.8A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات