يشترى IRFI610G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFI610G
- رقم القطعة:
- IRFI610G
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12938 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFI610G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFI610G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFI610G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | *IRFI610G |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFI610G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 2.6A (Ta) Through Hole TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFI610G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFI620GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI634GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI630GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI624G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | تحقيق |
 |
IPW60R125CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | تحقيق |
|
IRFI634G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI620G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | تحقيق |
 |
CSD16570Q5BT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | تحقيق |
|
IRFI640G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI614G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI644GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI614GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI624GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI640GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | تحقيق |
 |
IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN | تحقيق |
|
IRFI644G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog