يشترى IRFI614GPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFI614GPBF
- رقم القطعة:
- IRFI614GPBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16874 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFI614GPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFI614GPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFI614GPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 Ohm @ 1.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 23W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | *IRFI614GPBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFI614GPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 140pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 2.1A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFI614GPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFI634GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI620G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | تحقيق |
 |
BMS3003-1E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 78A | تحقيق |
|
IRFI640GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | تحقيق |
 |
BSS139L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 | تحقيق |
|
IRFI614G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI610G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI634G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI624GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI644G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI644GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI640G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI624G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI620GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | تحقيق |
|
IRFI630GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog