يشترى IRFL1006TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFL1006TR
- رقم القطعة:
- IRFL1006TR
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16742 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFL1006TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFL1006TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFL1006TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFL1006TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 160pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFL1006TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | تحقيق |
 |
DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO | تحقيق |
 |
IRFL1006PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 | تحقيق |
 |
ZVNL120CSTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
 |
IRFD9220 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP | تحقيق |
 |
AOD2610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 10A TO252 | تحقيق |
|
IRFR2407TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRFL1006 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 | تحقيق |
 |
SQJQ100EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8 | تحقيق |
 |
IXFT9N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 | تحقيق |
 |
IRFZ46ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | تحقيق |
 |
DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8 | تحقيق |
 |
IRLU3717PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK | تحقيق |
 |
SI3456CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog