يشترى IRFL1006PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFL1006PBF
- رقم القطعة:
- IRFL1006PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18794 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFL1006PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFL1006PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFL1006PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | *IRFL1006PBF SP001571088 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFL1006PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 160pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFL1006PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFL1006 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 | تحقيق |
 |
IRF7326D2TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRLI620G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP | تحقيق |
 |
SIHS20N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD | تحقيق |
 |
PSMN050-80PS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB | تحقيق |
|
IRFL1006TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 | تحقيق |
 |
DN2530N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3 | تحقيق |
 |
IRF9Z34S | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | تحقيق |
|
STB19NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK | تحقيق |
 |
NTR4503NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 | تحقيق |
 |
IPP45N06S409AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 | تحقيق |
 |
AOD4189 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 40V 40A TO252 | تحقيق |
 |
IRF540NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | تحقيق |
 |
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog