يشترى IRFPS3810PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFPS3810PBF
- رقم القطعة:
- IRFPS3810PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19899 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFPS3810PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFPS3810PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFPS3810PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SUPER-247 (TO-274AA) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 580W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-274AA |
| اسماء اخرى: | *IRFPS3810PBF SP001566934 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFPS3810PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6790pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 390nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFPS3810PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFPS3810 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 | تحقيق |
 |
AUIRFL024NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 | تحقيق |
|
IRFPS3815PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 | تحقيق |
 |
IRFR9210 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK | تحقيق |
 |
FDP7N60NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 | تحقيق |
 |
IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | تحقيق |
 |
IXFV30N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
IPI120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | تحقيق |
 |
IRFH7110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6 | تحقيق |
 |
IXTP70N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 | تحقيق |
 |
AO8807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8TSSOP | تحقيق |
 |
FCD900N60Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3 | تحقيق |
 |
FQB3N90TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers