يشترى IRFPS3810 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFPS3810
- رقم القطعة:
- IRFPS3810
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17298 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFPS3810.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFPS3810 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFPS3810 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SUPER-247 (TO-274AA) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 580W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-274AA |
| اسماء اخرى: | *IRFPS3810 Q1244033 SP001560530 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFPS3810 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6790pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 390nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFPS3810
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | تحقيق |
 |
IRFPS3810PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 | تحقيق |
 |
2SK3309(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL | تحقيق |
|
IRFPS3815PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 | تحقيق |
 |
NDUL09N150CG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 | تحقيق |
 |
AON6502 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6 | تحقيق |
 |
IRF820ASPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | تحقيق |
 |
NTD4860NAT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK | تحقيق |
 |
IXFV96N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220 | تحقيق |
 |
2N7002LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | تحقيق |
 |
SI6469DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8TSSOP | تحقيق |
 |
STD50NH02L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK | تحقيق |
 |
IXTP12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | تحقيق |
 |
BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog