يشترى IRFS52N15DPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFS52N15DPBF
- رقم القطعة:
- IRFS52N15DPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19978 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFS52N15DPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFS52N15DPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFS52N15DPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 32 mOhm @ 36A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 230W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | SP001557412 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFS52N15DPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2770pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 89nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFS52N15DPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS5615PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | تحقيق |
 |
DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | تحقيق |
|
IRFS5620TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
NTMFS5C460NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
|
IRFS59N10DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS5620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS5615TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | تحقيق |
|
IRFBC30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | تحقيق |
 |
FQA10N80C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | تحقيق |
|
IRFS59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog