يشترى IRFS59N10DPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFS59N10DPBF
- رقم القطعة:
- IRFS59N10DPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18169 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFS59N10DPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFS59N10DPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFS59N10DPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25 mOhm @ 35.4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRFS59N10DPBF SP001571716 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFS59N10DPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2450pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 114nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 59A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFS59N10DPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | تحقيق |
 |
FDD6680AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK | تحقيق |
|
IRFS59N10DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLL1503TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SOT223 | تحقيق |
|
IRFS5615PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | تحقيق |
 |
SSM3K7002KF,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A | تحقيق |
 |
FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | تحقيق |
|
IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS5615TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS5620TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLI520GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP | تحقيق |
|
IRFS5620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog