يشترى IRFSL31N20D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-262 |
سلسلة: | HEXFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
اسماء اخرى: | *IRFSL31N20D |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | IRFSL31N20D |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2370pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 110nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
وصف: | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
Email: | [email protected] |