يشترى IRFSL33N15DTRRP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFSL33N15DTRRP
- رقم القطعة:
- IRFSL33N15DTRRP
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17251 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFSL33N15DTRRP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFSL33N15DTRRP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFSL33N15DTRRP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-262 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 56 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFSL33N15DTRRP |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2020pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFSL33N15DTRRP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL33N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3 | تحقيق |
|
IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL31N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3507 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 97A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3004PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | تحقيق |
|
IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A TO262 | تحقيق |
|
IRFSL3207 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 180A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 43A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-262 | تحقيق |
|
IRFSL3107PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A TO262 | تحقيق |
|
IRFSL3307 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 130A TO-262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog