يشترى IRFU110 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFU110
- رقم القطعة:
- IRFU110
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17974 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFU110.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFU110 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFU110 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251AA |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | *IRFU110 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFU110 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 180pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFU110
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7C5R4-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
IXFH22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFU120 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK | تحقيق |
 |
IRFR2405TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK | تحقيق |
 |
IXTX110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 | تحقيق |
|
IRFU110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK | تحقيق |
 |
CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | تحقيق |
 |
STW9NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 8A TO-247 | تحقيق |
 |
IPD075N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
|
IRFU1N60A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK | تحقيق |
|
IRFU1N60APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK | تحقيق |
 |
2SK1829TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.05A USM | تحقيق |
 |
CPH3448-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 | تحقيق |
 |
FDS7096N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | تحقيق |
 |
SIE836DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | تحقيق |
|
AUIRF7799L2TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET | تحقيق |
 |
NVMFS6B03NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN | تحقيق |
|
IRFU120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK | تحقيق |
 |
2SK4209 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog