SIE836DF-T1-GE3
SIE836DF-T1-GE3
رقم القطعة:
SIE836DF-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14246 Pieces
ورقة البيانات:
SIE836DF-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIE836DF-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIE836DF-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIE836DF-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:10-PolarPAK® (SH)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:130 mOhm @ 4.1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):5.2W (Ta), 104W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:10-PolarPAK® (SH)
اسماء اخرى:SIE836DF-T1-GE3TR
SIE836DFT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SIE836DF-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1200pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:41nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات