يشترى IRL530NPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL530NPBF
- رقم القطعة:
- IRL530NPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13255 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL530NPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL530NPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL530NPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 79W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *IRL530NPBF 64-0095PBF 64-0095PBF-ND SP001578734 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRL530NPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL530NPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SFT1341-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH | تحقيق |
 |
SI4866DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BUK6507-55C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB | تحقيق |
 |
IRL530NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
|
IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
 |
NTD110N02RST4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 100A DPAK | تحقيق |
 |
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 | تحقيق |
 |
IRL530NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 | تحقيق |
|
IRL530NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
|
IRL530NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
|
IRL530NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
|
IRL530NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
VN0550N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IRFR020 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog