يشترى IRL530NSTRLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL530NSTRLPBF
- رقم القطعة:
- IRL530NSTRLPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13531 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL530NSTRLPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL530NSTRLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL530NSTRLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IRL530NSTRLPBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRL530NSTRLPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL530NSTRLPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL530NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
TPH3R003PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | تحقيق |
 |
IXFK140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 | تحقيق |
|
IRL530NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL530NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 | تحقيق |
|
IRL3302STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK | تحقيق |
|
IRL530NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL530NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB | تحقيق |
|
IRL530NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
BSZ130N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
FK3306010L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3 | تحقيق |
 |
IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN | تحقيق |
 |
IXFT80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
NTD32N06LT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog