يشترى IRL630PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL630PBF
- رقم القطعة:
- IRL630PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12803 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.IRL630PBF.pdf2.IRL630PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL630PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL630PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 400 mOhm @ 5.4A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 74W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *IRL630PBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRL630PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1100pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL630PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL630 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB | تحقيق |
 |
DMP2160UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 | تحقيق |
 |
IRL630STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
STU5N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220 | تحقيق |
|
IRL630S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
|
IRL630STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
FQPF6N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F | تحقيق |
|
IRL630SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
|
FQPF8N60CT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F | تحقيق |
|
IRL630STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
SPD14N06S2-80 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | تحقيق |
 |
SI7107DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | تحقيق |
|
IRL630STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog