يشترى IRL630STRR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL630STRR
- رقم القطعة:
- IRL630STRR
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12123 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL630STRR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL630STRR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL630STRR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 400 mOhm @ 5.4A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRL630STRR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1100pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL630STRR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL630SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL630 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB | تحقيق |
|
IRL630STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
|
IRL630STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
FQPF12N60T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F | تحقيق |
 |
SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | تحقيق |
 |
PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK | تحقيق |
|
IRL630PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB | تحقيق |
 |
IPD122N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 | تحقيق |
|
IRL630S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFPS38N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247 | تحقيق |
 |
STP5NB40 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220 | تحقيق |
|
IRL630STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog