يشترى IRLR120NTRLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLR120NTRLPBF
- رقم القطعة:
- IRLR120NTRLPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18735 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLR120NTRLPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLR120NTRLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLR120NTRLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 185 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 48W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | SP001568906 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLR120NTRLPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLR120NTRLPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R660CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | تحقيق |
 |
5HN01M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 | تحقيق |
 |
FDD8870_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 21A DPAK | تحقيق |
 |
IRLR120NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
|
IRLR120NTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
 |
RSS090P03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRLR120NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | تحقيق |
 |
NTMFS4C55NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | تحقيق |
 |
VN10LP | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 | تحقيق |
 |
PHK04P02T,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTTFS5CS70NLTWG | ON Semiconductor | T6 60V NCH LL IN U8FL | تحقيق |
 |
BUZ32H3045AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFU3704 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK | تحقيق |
 |
IXTA80N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog