يشترى IXTA80N10T7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA80N10T7
- رقم القطعة:
- IXTA80N10T7
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19119 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA80N10T7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA80N10T7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA80N10T7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 100µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263-7 (IXTA..7) |
| سلسلة: | TrenchMV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 14 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 230W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA80N10T7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3040pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 80A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA80N10T7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6466ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP | تحقيق |
 |
IXTA80N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFR9024TRL | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK | تحقيق |
|
IXTA80N12T2 | IXYS | MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
SUM45N25-58-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTA88N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXTA8N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263 | تحقيق |
|
IXTA80N075L2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 80A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA86N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 | تحقيق |
 |
FDB8443 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB | تحقيق |
|
IXTA8N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | تحقيق |
|
SI4448DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXTA8PN50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | تحقيق |
|
IXTA88N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog