يشترى IRLS4030-7PPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLS4030-7PPBF
- رقم القطعة:
- IRLS4030-7PPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20473 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLS4030-7PPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLS4030-7PPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLS4030-7PPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK (7-Lead) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.9 mOhm @ 110A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 370W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| اسماء اخرى: | IRLS40307PPBF SP001568682 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLS4030-7PPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 11490pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLS4030-7PPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
IRLS4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
STL40N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 | تحقيق |
|
IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | تحقيق |
 |
2SK4124 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB | تحقيق |
 |
FQPF6N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5A TO-220F | تحقيق |
 |
FDS8874 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRL2505STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | تحقيق |
 |
SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 55A SO8 | تحقيق |
 |
SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog