يشترى IRLS4030TRL7PP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLS4030TRL7PP
- رقم القطعة:
- IRLS4030TRL7PP
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14189 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLS4030TRL7PP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLS4030TRL7PP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLS4030TRL7PP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK (7-Lead) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.9 mOhm @ 110A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 370W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| اسماء اخرى: | IRLS4030TRL7PPTR SP001569054 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLS4030TRL7PP |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 11490pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLS4030TRL7PP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HUF75309T3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | تحقيق |
 |
IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | تحقيق |
 |
IXTH200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | تحقيق |
|
IRLS4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
APTC60DAM18CTG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 143A SP4 | تحقيق |
 |
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK | تحقيق |
 |
TK50P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3 | تحقيق |
 |
SIB412DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog