يشترى IRLU2905ZPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLU2905ZPBF
- رقم القطعة:
- IRLU2905ZPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12492 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLU2905ZPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLU2905ZPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLU2905ZPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | IPAK (TO-251) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13.5 mOhm @ 36A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | *IRLU2905ZPBF SP001558616 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLU2905ZPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1570pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 35nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLU2905ZPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLU2905PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | تحقيق |
 |
IRLU2905Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | تحقيق |
 |
FDD3682_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | تحقيق |
|
IRLU2705 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK | تحقيق |
 |
AON4421_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN | تحقيق |
|
IRLU2703 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK | تحقيق |
 |
NTD4805NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK | تحقيق |
|
IRLU2905 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | تحقيق |
 |
IXFN180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | تحقيق |
 |
NTMFS4C06NAT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL | تحقيق |
 |
IRLU2703PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog