العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IRLU2905
IRLU2905
IRLU2905
رقم القطعة:
IRLU2905
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
16901 Pieces
ورقة البيانات:
IRLU2905.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLU2905 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLU2905 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRLU2905 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:27 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):110W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:*IRLU2905
Q853121
SP001553032
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRLU2905
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:48nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIRLU2905

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRLU2905PBF Image IRLU2905PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK تحقيق
IRLU2905Z Image IRLU2905Z Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK تحقيق
IRLU2905ZPBF Image IRLU2905ZPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK تحقيق
STW12N120K5 Image STW12N120K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 تحقيق
STP8NM50N Image STP8NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB تحقيق
IXFK88N30P Image IXFK88N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 تحقيق
SI5404BDC-T1-GE3 Image SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 تحقيق
STW72N60DM2AG Image STW72N60DM2AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 66A تحقيق
IRLU2705 Image IRLU2705 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK تحقيق
STW42N65M5 Image STW42N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 تحقيق
IPI90R1K2C3XKSA1 Image IPI90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 تحقيق
IRLU2703 Image IRLU2703 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK تحقيق
IRLU2703PBF Image IRLU2703PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK تحقيق
NTA4153NT1G Image NTA4153NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 تحقيق

Latest الأخبار