يشترى IXDR30N120D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXDR30N120D1
- رقم القطعة:
- IXDR30N120D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16871 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXDR30N120D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXDR30N120D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXDR30N120D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.9V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 600V, 30A, 47 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | - |
| تحويل الطاقة: | 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 40ns |
| السلطة - ماكس: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXDR30N120D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 120nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247™ |
| وصف: | IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 60A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 50A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXDR30N120D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 452W TO247 | تحقيق |
 |
IXYB82N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 | تحقيق |
 |
IXDR35N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STGWT80H65DFB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L | تحقيق |
|
IXDR30N120 | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXGP24N60C | IXYS | IGBT 600V 48A 150W TO220AB | تحقيق |
|
IXGR60N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | تحقيق |
 |
IXGX40N120BD1 | IXYS | IGBT 1200V PLUS247 | تحقيق |
 |
FGH30N6S2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO247 | تحقيق |
 |
IXGH40N60C | IXYS | IGBT 600V 75A 250W TO247AD | تحقيق |
|
IXGK35N120CD1 | IXYS | IGBT 1200V 70A 350W PLUS247 | تحقيق |
|
NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 | تحقيق |
 |
IXYR100N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog