العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
رقم القطعة:
IXFA180N10T2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13030 Pieces
ورقة البيانات:
IXFA180N10T2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA180N10T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA180N10T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFA180N10T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXFA)
سلسلة:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):480W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFA180N10T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:10500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:185nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFA180N10T2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AUXTLR3110Z Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V DPAK تحقيق
IXFA16N50P Image IXFA16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK تحقيق
IXFA10N60P Image IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK تحقيق
RE1E002SPTCL Image RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3 تحقيق
IXFA130N10T2 Image IXFA130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA تحقيق
IXFA130N10T Image IXFA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK تحقيق
IXFA14N60P3 Image IXFA14N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA تحقيق
IXFA10N80P Image IXFA10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 تحقيق
IRL3502 Image IRL3502 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB تحقيق
IXFA14N85XHV Image IXFA14N85XHV IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 تحقيق
IPP65R190E6XKSA1 Image IPP65R190E6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 تحقيق
IXFA18N60X Image IXFA18N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA تحقيق
IXFA12N50P Image IXFA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK تحقيق
IXFA16N60P3 Image IXFA16N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA تحقيق
IXFA110N15T2 Image IXFA110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK تحقيق
IXFA102N15T Image IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK تحقيق
IXFA14N60P Image IXFA14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK تحقيق
IXFA16N50P3 Image IXFA16N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA تحقيق
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP تحقيق

Latest الأخبار