يشترى IXFA4N100Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA4N100Q
- رقم القطعة:
- IXFA4N100Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16157 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA4N100Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA4N100Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA4N100Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXFA) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA4N100Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA4N100Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA4N100Q-TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFA4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3 | تحقيق |
 |
IPB60R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263 | تحقيق |
 |
IXFN90N85X | IXYS | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | تحقيق |
|
IXFA4N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA | تحقيق |
 |
IRF7402PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF9510L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A TO-262 | تحقيق |
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFIBC40GLC | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP | تحقيق |
 |
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
AOT9N70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 700V 9A TO220 | تحقيق |
 |
IXTA220N055T7 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog