يشترى IXFA4N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA4N60P3
- رقم القطعة:
- IXFA4N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16528 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA4N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA4N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA4N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXFA) |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.2 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 114W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA4N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 365pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA4N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXFA4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK7506-75B,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
BUK7207-30B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK | تحقيق |
 |
IRF6609TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | تحقيق |
 |
CSD19535KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
 |
RFD14N05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | تحقيق |
 |
IPU60R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | تحقيق |
|
IXFA4N100Q-TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF6215STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK | تحقيق |
 |
NVJS4405NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88 | تحقيق |
 |
IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | تحقيق |
 |
STF25N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP | تحقيق |
|
IXFA4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF7321D2TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF6216PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMV27UPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | تحقيق |
 |
APT41F100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 | تحقيق |
 |
SSM3J327R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F | تحقيق |
 |
IXFH74N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog