العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFC12N80P
IXFC12N80P
رقم القطعة:
IXFC12N80P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14514 Pieces
ورقة البيانات:
IXFC12N80P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFC12N80P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFC12N80P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFC12N80P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 2.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS220™
سلسلة:HiPerFET™, PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:930 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):120W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS220™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFC12N80P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2800pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:51nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFC12N80P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFC16N50P Image IXFC16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 تحقيق
IRFD420 Image IRFD420 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP تحقيق
FCP104N60F Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO-220 تحقيق
IXFC10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 تحقيق
SI3407-TP Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE تحقيق
DMP3068L-13 Image DMP3068L-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23 تحقيق
IXFC110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 تحقيق
SI5404BDC-T1-E3 Image SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 تحقيق
IXFC13N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 تحقيق
IXFC14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 تحقيق
IXFC16N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 تحقيق
ECH8410-TL-H Image ECH8410-TL-H ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 تحقيق
IRFL4105TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 تحقيق
IRFU1018EPBF Image IRFU1018EPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK تحقيق
IPA60R450E6XKSA1 Image IPA60R450E6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 تحقيق
FDB0165N807L Image FDB0165N807L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 310A TO263 تحقيق
BBL4001 Image BBL4001 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 74A TO220 تحقيق
2N7002P,215 Image 2N7002P,215 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 تحقيق
IXFC15N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 تحقيق
IXFC14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 تحقيق

Latest الأخبار