العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFC14N60P
IXFC14N60P
رقم القطعة:
IXFC14N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14663 Pieces
ورقة البيانات:
IXFC14N60P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFC14N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFC14N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFC14N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 2.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS220™
سلسلة:HiPerFET™, PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:630 mOhm @ 7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS220™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFC14N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:36nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFC14N60P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SI4850EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC تحقيق
RP1L055SNTR Image RP1L055SNTR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6 تحقيق
IXFC10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 تحقيق
IXFC12N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 تحقيق
2SK3566(STA4,Q,M) Image 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS تحقيق
IXFC14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 تحقيق
IRF6614TR1PBF Image IRF6614TR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET تحقيق
RW1E025RPT2CR Image RW1E025RPT2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 تحقيق
IPA50R140CP Image IPA50R140CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3 تحقيق
IXFC110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 تحقيق
IXFC16N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 تحقيق
IXFC13N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 تحقيق
JAN2N6798 Microsemi Corporation MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 تحقيق
IXFC16N50P Image IXFC16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 تحقيق
BUK9M6R6-30EX Image BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK تحقيق
STD7LN80K5 Image STD7LN80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 5A DPAK تحقيق
FDD8444 Image FDD8444 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 145A DPAK تحقيق
IXFC15N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 تحقيق
N0413N-ZK-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار