يشترى IXFE23N100 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFE23N100
- رقم القطعة:
- IXFE23N100
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18337 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFE23N100.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFE23N100 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFE23N100 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 430 mOhm @ 11.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFE23N100 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 250nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 21A 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFE23N100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7121DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8 | تحقيق |
 |
STP4N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220 | تحقيق |
 |
MTM232270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B | تحقيق |
 |
STW9N150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247 | تحقيق |
 |
FDB8444 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB | تحقيق |
 |
IXFE24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 | تحقيق |
 |
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | تحقيق |
 |
NTD4863N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK | تحقيق |
 |
SQD40P10-40L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 100V TO252 | تحقيق |
 |
SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 650V 39A TO247N | تحقيق |
 |
2SK4099LS-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8.5A | تحقيق |
 |
SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23 | تحقيق |
 |
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | تحقيق |
 |
IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1 | تحقيق |
|
IRFR9010TRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | تحقيق |
 |
STF5N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP | تحقيق |
 |
IXFV30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXTH02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV | تحقيق |
 |
TJ60S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3 | تحقيق |
|
IXTA3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog