العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
رقم القطعة:
IXTA08N50D2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18894 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA08N50D2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA08N50D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA08N50D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA08N50D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.6 Ohm @ 400mA, 0V
تبديد الطاقة (ماكس):60W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA08N50D2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:312pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12.7nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
وصف موسع:N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA08N50D2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA05N100HV Image IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 تحقيق
IXTA08N120P Image IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 تحقيق
IRLR7843CPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 161A DPAK تحقيق
DMN10H099SK3-13 Image DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 17A TO252 تحقيق
IXTA08N100P Image IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 تحقيق
IXTA02N450HV Image IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 تحقيق
IXTA08N100D2 Image IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK تحقيق
TK6A65W,S5X Image TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS تحقيق
IPD180N10N3 G Image IPD180N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 تحقيق
IXTA05N100 Image IXTA05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 تحقيق
IXTA02N250HV Image IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 تحقيق
IRFP23N50LPBF Image IRFP23N50LPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC تحقيق
FQU6N25TU Image FQU6N25TU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK تحقيق
FDD9410_F085 Image FDD9410_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 50A DPAK تحقيق
IPB180N04S401ATMA1 Image IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 تحقيق
IXTA06N120P Image IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 تحقيق
IXTA02N250 Image IXTA02N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 تحقيق

Latest الأخبار