يشترى IXFH66N20Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH66N20Q
- رقم القطعة:
- IXFH66N20Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13935 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH66N20Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH66N20Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH66N20Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 33A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH66N20Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 105nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 66A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH66N20Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | تحقيق |
 |
NTMFS4936NCT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | تحقيق |
 |
IRC644PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5 | تحقيق |
 |
IXFH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD | تحقيق |
 |
BUK762R9-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | تحقيق |
|
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXFN140N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFH6N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH60N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO247 | تحقيق |
|
IXFH6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH6N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 | تحقيق |
 |
IRF7422D2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NDT455N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223 | تحقيق |
|
IXFH6N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD | تحقيق |
 |
IRFD9024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP | تحقيق |
|
IXFH60N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog