يشترى IXFH67N10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH67N10
- رقم القطعة:
- IXFH67N10
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13053 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH67N10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH67N10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH67N10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25 mOhm @ 33.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH67N10 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 260nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH67N10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQAF44N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF | تحقيق |
 |
NTD32N06-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | تحقيق |
 |
SPI80N06S2L-11 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | تحقيق |
 |
IXFH6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD | تحقيق |
 |
IRFI720GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP | تحقيق |
|
IXFH6N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH60N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | تحقيق |
|
FDT434P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 | تحقيق |
 |
NTHS4101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET | تحقيق |
|
IXFH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH6N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 | تحقيق |
|
IXFH69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH60N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO247 | تحقيق |
|
IXFH10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH6N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog