العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH86N30T
IXFH86N30T
IXFH86N30T
رقم القطعة:
IXFH86N30T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17238 Pieces
ورقة البيانات:
IXFH86N30T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH86N30T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH86N30T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFH86N30T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:HiPerFET™, TrenchT2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:43 mOhm @ 43A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):860W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFH86N30T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:11300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:180nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 300V 86A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):300V
وصف:MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:86A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH86N30T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFH80N10Q Image IXFH80N10Q IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD تحقيق
IXFH80N10 Image IXFH80N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 تحقيق
RSH140N03TB1 Image RSH140N03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A SOP8 تحقيق
JAN2N6784 Microsemi Corporation MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 تحقيق
IXFH8N80 Image IXFH8N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 تحقيق
NTB30N06G Image NTB30N06G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK تحقيق
IXFH80N25X3 IXYS MOSFET N-CH 250V 80A TO247 تحقيق
IXFH80N15Q Image IXFH80N15Q IXYS MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD تحقيق
IXFH80N65X2 Image IXFH80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 تحقيق
STFH13N60M2 Image STFH13N60M2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP., تحقيق
ZVN2535ASTOB Diodes Incorporated MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3 تحقيق
IXFH80N085 Image IXFH80N085 IXYS MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 تحقيق
IXFH88N20Q Image IXFH88N20Q IXYS MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 تحقيق
IXFP36N30P3 Image IXFP36N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO220 تحقيق
IXFH80N06 Image IXFH80N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 تحقيق
IXFH88N30P Image IXFH88N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 تحقيق
IXFH80N30P3 Image IXFH80N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 80A TO-247 تحقيق
IXFH80N08 Image IXFH80N08 IXYS MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 تحقيق
IXFH80N20Q Image IXFH80N20Q IXYS MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD تحقيق
2SK060100L Image 2SK060100L Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR تحقيق

Latest الأخبار