يشترى IXFH8N80 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH8N80
- رقم القطعة:
- IXFH8N80
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16186 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH8N80.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH8N80 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH8N80 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.1 Ohm @ 4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 180W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH8N80 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH8N80
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW30NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH80N08 | IXYS | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 | تحقيق |
 |
NTD25P03LRLG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK | تحقيق |
 |
2SK4116LS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI | تحقيق |
|
IXFH80N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD | تحقيق |
 |
BUK662R5-30C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
|
IXFH86N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 86A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH80N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFA26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFH80N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 80A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH80N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH88N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD | تحقيق |
 |
IRFZ44RSTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 15A | تحقيق |
|
IXFH80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXFH80N25X3 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 80A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog