يشترى IXFH94N30T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH94N30T
- رقم القطعة:
- IXFH94N30T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16558 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH94N30T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH94N30T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH94N30T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 36 mOhm @ 47A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 890W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH94N30T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 11400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 190nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 300V 94A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف: | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 94A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH94N30T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFC4127ED | Infineon Technologies | MOSFET N-CH WAFER | تحقيق |
 |
IXFH94N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | تحقيق |
 |
2SK4017(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 | تحقيق |
 |
IXFH96N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 | تحقيق |
 |
FDB039N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL3303D1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB | تحقيق |
|
IXFH9N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
NTLUS3C18PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN | تحقيق |
|
IXFH9N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 | تحقيق |
|
AOB418 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK | تحقيق |
 |
SIB455EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6 | تحقيق |
 |
STL6NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT | تحقيق |
|
IXFH96N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 96A TO-247 | تحقيق |
 |
RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | تحقيق |
 |
IXFC74N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
NTMFS4C05NT1G-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL | تحقيق |
 |
SI5481DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers