يشترى IXFH9N80 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH9N80
- رقم القطعة:
- IXFH9N80
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15636 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH9N80.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH9N80 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH9N80 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 180W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | Q3837074 Q4932885 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH9N80 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH9N80
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMS8672AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A POWER56 | تحقيق |
 |
IXTA220N075T7 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7 | تحقيق |
 |
IRL3714SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | تحقيق |
 |
2N7008-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3 | تحقيق |
 |
AO4452 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPP70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | تحقيق |
 |
IXFH9N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
NVMFS5826NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL | تحقيق |
 |
NTD3055L104 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
|
IXFH96N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 | تحقيق |
 |
STD12NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
|
IXFH94N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | تحقيق |
 |
STR1P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23 | تحقيق |
 |
SPA02N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 | تحقيق |
|
IXFH96N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 96A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFH94N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | تحقيق |
|
FDS4410 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRL2203NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 | تحقيق |
|
IPB09N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog