يشترى IXFK55N50F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFK55N50F
- رقم القطعة:
- IXFK55N50F
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 55A TO264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18158 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFK55N50F.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFK55N50F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFK55N50F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 (IXFK) |
| سلسلة: | HiPerRF™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 85 mOhm @ 27.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 560W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFK55N50F |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 195nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264 (IXFK) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 55A TO264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFK55N50F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA | تحقيق |
 |
FDN360P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | تحقيق |
|
IXFK50N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA | تحقيق |
 |
2N7002K-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT-23-3 | تحقيق |
 |
GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 600V 100A | تحقيق |
|
IXFK52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA | تحقيق |
 |
IXFN44N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B | تحقيق |
 |
IPI50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | تحقيق |
|
IXFK50N85X | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
AUIRFZ48ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK | تحقيق |
|
BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 | تحقيق |
 |
IRFU4105Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK | تحقيق |
|
IXFK52N60Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 52A TO-264 | تحقيق |
 |
SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | تحقيق |
|
IXFK520N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 520A TO-264 | تحقيق |
 |
ATP613-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK | تحقيق |
 |
IRFH5301TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog