العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FDN360P
FDN360P
رقم القطعة:
FDN360P
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12163 Pieces
ورقة البيانات:
1.FDN360P.pdf2.FDN360P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDN360P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDN360P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FDN360P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SuperSOT-3
سلسلة:PowerTrench®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:80 mOhm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):500mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:FDN360P_F095
FDN360P_F095TR
FDN360P_F095TR-ND
FDN360PF095
FDN360PTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:21 Weeks
الصانع الجزء رقم:FDN360P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:298pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:9nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFDN360P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STD150N3LLH6 Image STD150N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 80A DPAK تحقيق
IRFL014PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 تحقيق
IRFR024TRR Image IRFR024TRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 14A DPAK تحقيق
BSR316PL6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 تحقيق
CPMF-1200-S160B Cree/Wolfspeed MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE تحقيق
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B تحقيق
R6007KNJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3 تحقيق
APT51F50J Image APT51F50J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 تحقيق
NVMFS5833NT3G Image NVMFS5833NT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V SO8FL تحقيق
IRFD9210 Image IRFD9210 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP تحقيق
IRL3715STRRPBF Image IRL3715STRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK تحقيق
IXTA52P10P Image IXTA52P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 تحقيق
FDN361AN Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 تحقيق
IRFP17N50L Image IRFP17N50L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC تحقيق
FDN361BN Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 تحقيق
ZVP3306A Image ZVP3306A Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3 تحقيق
IXFK44N50P Image IXFK44N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 تحقيق
SIHP25N40D-E3 Image SIHP25N40D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB تحقيق
RCJ330N25TL Image RCJ330N25TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 250V 33A LPTS تحقيق
NCV8440STT1G Image NCV8440STT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4 تحقيق

Latest الأخبار