العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN320N17T2
IXFN320N17T2
IXFN320N17T2
رقم القطعة:
IXFN320N17T2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17712 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN320N17T2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN320N17T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN320N17T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN320N17T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:GigaMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.2 mOhm @ 60A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1070W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN320N17T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:45000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:640nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 170V 260A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):170V
وصف:MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:260A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN320N17T2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN30N110P Image IXFN30N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B تحقيق
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 تحقيق
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B تحقيق
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B تحقيق
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B تحقيق
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 تحقيق
IXFN34N100 Image IXFN34N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B تحقيق
IXFN38N80Q2 Image IXFN38N80Q2 IXYS MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 تحقيق
IXFN340N07 Image IXFN340N07 IXYS MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B تحقيق
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B تحقيق
IXFN360N10T Image IXFN360N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B تحقيق
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B تحقيق
IXFN38N100Q2 Image IXFN38N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 تحقيق
IXFN32N80P Image IXFN32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B تحقيق
IXFN36N110P Image IXFN36N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B تحقيق
IXFN300N10P Image IXFN300N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار