يشترى IXFN32N100Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN32N100Q3
- رقم القطعة:
- IXFN32N100Q3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12981 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN32N100Q3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN32N100Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN32N100Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 320 mOhm @ 16A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 780W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN32N100Q3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9940pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 195nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 28A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 28A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN32N100Q3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN36N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN360N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN340N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN32N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN36N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog