العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN38N100P
IXFN38N100P
IXFN38N100P
رقم القطعة:
IXFN38N100P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16088 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN38N100P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN38N100P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN38N100P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN38N100P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:210 mOhm @ 19A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1000W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN38N100P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:24000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:350nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 38A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:38A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN38N100P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B تحقيق
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B تحقيق
IXFN38N100Q2 Image IXFN38N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 تحقيق
IXFN360N10T Image IXFN360N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B تحقيق
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B تحقيق
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 تحقيق
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B تحقيق
IXFN38N80Q2 Image IXFN38N80Q2 IXYS MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 تحقيق
IXFN340N07 Image IXFN340N07 IXYS MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B تحقيق
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B تحقيق
IXFN34N100 Image IXFN34N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B تحقيق
IXFN300N10P Image IXFN300N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 تحقيق
IXFN36N110P Image IXFN36N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B تحقيق
IXFN30N110P Image IXFN30N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B تحقيق
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار