العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN48N60P
IXFN48N60P
IXFN48N60P
رقم القطعة:
IXFN48N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15170 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN48N60P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN48N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN48N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN48N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:140 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):625W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN48N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8860pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:150nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 40A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:40A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN48N60P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN44N80P Image IXFN44N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80Q3 Image IXFN44N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227 تحقيق
IXFN48N50U3 Image IXFN48N50U3 IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN420N10T Image IXFN420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 تحقيق
IXFN44N100P Image IXFN44N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B تحقيق
IXFN48N55 Image IXFN48N55 IXYS MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50 Image IXFN44N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50Q Image IXFN48N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50U2 Image IXFN44N50U2 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50U2 Image IXFN48N50U2 IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN40N110Q3 Image IXFN40N110Q3 IXYS MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80 Image IXFN44N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50 Image IXFN48N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN40N90P Image IXFN40N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق
IXFN44N50U3 Image IXFN44N50U3 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50Q Image IXFN44N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N100Q3 Image IXFN44N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار