يشترى IXFN50N50 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN50N50
- رقم القطعة:
- IXFN50N50
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18612 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN50N50.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN50N50 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN50N50 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 90 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 600W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN50N50 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 330nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 50A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN50N50
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDP24N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 24A TO-220 | تحقيق |
 |
APT36N90BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFN56N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B | تحقيق |
 |
RJL6020DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | تحقيق |
|
IXFN520N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 | تحقيق |
|
IXFN55N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B | تحقيق |
|
IXFN52N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 | تحقيق |
 |
NP36P06KDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 60V 36A TO-263 | تحقيق |
 |
CPC3720C | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 350V SOT89 | تحقيق |
 |
IXTP1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB | تحقيق |
|
IPB072N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | تحقيق |
 |
NTD4905N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK | تحقيق |
 |
SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IRFL4310PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 | تحقيق |
 |
MCP87090T-U/MF | Microchip Technology | MOSFET N-CH 25V 8PDFN | تحقيق |
|
IXFN50N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | تحقيق |
 |
NTB75N06T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFK32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog