العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN520N075T2
IXFN520N075T2
IXFN520N075T2
رقم القطعة:
IXFN520N075T2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15788 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN520N075T2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN520N075T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN520N075T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN520N075T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 8mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.9 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):940W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN520N075T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:41000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:545nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 75V 480A 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):75V
وصف:MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:480A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN520N075T2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF6706S2TR1PBF Image IRF6706S2TR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1 تحقيق
IXFN52N90P Image IXFN52N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 تحقيق
PH1730AL,115 Image PH1730AL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK تحقيق
NTNS3A91PZT5G Image NTNS3A91PZT5G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.223A XLLGA3 تحقيق
IXFN50N80Q2 Image IXFN50N80Q2 IXYS MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B تحقيق
FDMA420NZ Image FDMA420NZ Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET تحقيق
FCPF190N60_F152 Image FCPF190N60_F152 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F تحقيق
DMP2012SN-7 Image DMP2012SN-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3 تحقيق
APT21M100J Image APT21M100J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 تحقيق
FCP20N60FS Image FCP20N60FS Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO220-3 تحقيق
IXFN56N90P Image IXFN56N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B تحقيق
IXFN55N50 Image IXFN55N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B تحقيق
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B تحقيق
IRF6607TR1 Image IRF6607TR1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET تحقيق
SK8603170L Image SK8603170L Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO تحقيق
STD100NH03LT4 Image STD100NH03LT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 60A DPAK تحقيق
SSM3K341R,LF Image SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 6A تحقيق
IXFN50N50 Image IXFN50N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B تحقيق
NTD4809NH-35G Image NTD4809NH-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A IPAK تحقيق

Latest الأخبار