العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN80N48
IXFN80N48
IXFN80N48
رقم القطعة:
IXFN80N48
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13068 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN80N48.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN80N48 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN80N48 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN80N48 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 8mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):700W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFN80N48
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9890pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:380nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 480V 80A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):480V
وصف:MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN80N48

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 تحقيق
IRFR3711TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A DPAK تحقيق
IXFN80N60P3 Image IXFN80N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B تحقيق
IPB65R280E6ATMA1 Image IPB65R280E6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IXFN80N50 Image IXFN80N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B تحقيق
STFH13N60M2 Image STFH13N60M2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP., تحقيق
IRF7702TR Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP تحقيق
IXFN80N50Q2 Image IXFN80N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B تحقيق
IXFN82N60P Image IXFN82N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B تحقيق
NTB30N06G Image NTB30N06G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK تحقيق
IRFR110TRL Image IRFR110TRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK تحقيق
RJK1003DPN-E0#T2 Image RJK1003DPN-E0#T2 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V 50A TO220 تحقيق
FDB5800 Image FDB5800 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK تحقيق
IXFN82N60Q3 Image IXFN82N60Q3 IXYS MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 تحقيق
IXFN80N50Q3 Image IXFN80N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار