العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN80N50
IXFN80N50
IXFN80N50
رقم القطعة:
IXFN80N50
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16694 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN80N50.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN80N50 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN80N50 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN80N50 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:55 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):780W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN80N50
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9890pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:380nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 80A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN80N50

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN80N48 Image IXFN80N48 IXYS MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B تحقيق
IXFN80N50Q2 Image IXFN80N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B تحقيق
AO7414 Image AO7414 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 تحقيق
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 تحقيق
BSZ042N04NS G Image BSZ042N04NS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 تحقيق
IXFN82N60Q3 Image IXFN82N60Q3 IXYS MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 تحقيق
SI2341DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 تحقيق
NVD6414ANT4G-VF01 Image NVD6414ANT4G-VF01 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 34A DPAK تحقيق
IXFN82N60P Image IXFN82N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B تحقيق
IXFN80N50Q3 Image IXFN80N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 تحقيق
IXFN80N60P3 Image IXFN80N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B تحقيق
IRL60SL216 Image IRL60SL216 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 195A تحقيق

Latest الأخبار